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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI3447CDV-T1-GE3

SI3447CDV-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/9 18:39:33 查看 閱讀�4

SI3447CDV 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET 功率晶體管,采用 TrenchFET 第三代技�(shù)制�。該器件具有極低的導(dǎo)通電阻和�(yōu)異的�(kāi)�(guān)性能,適用于高效率功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。其封裝形式� ThinPAK 8x8(T1 封裝�,能夠有效降低寄生電感并提升散熱性能�
  這款 MOSFET 廣泛用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及通信電源等場(chǎng)景中�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�54A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.2mΩ
  柵極電荷�39nC
  輸入電容�3450pF
  總熱阻(�(jié)到殼):0.5°C/W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

SI3447CDV 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),� 10V 柵極�(qū)�(dòng)下僅� 1.2mΩ,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高額定電流能力,支持高達(dá) 54A 的連續(xù)漏極電流,適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)��
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度,得益于較低的柵極電荷和輸出電荷,能夠有效降低開(kāi)�(guān)損��
  4. 增強(qiáng)的熱性能�(shè)�(jì),通過(guò)�(yōu)化的 ThinPAK 封裝�(shí)�(xiàn)更低的熱�,確保在高溫�(huán)境下的可靠��
  5. 兼容�(biāo)�(zhǔn)表面貼裝工藝,簡(jiǎn)化了生產(chǎn)流程并提高了裝配效率�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),并具備防潮能力,適合大批量生產(chǎn)和長(zhǎng)期存�(chǔ)需��

�(yīng)�

SI3447CDV 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流和功率因數(shù)校正(PFC��
  2. 服務(wù)�、筆記本電腦及通信�(shè)備中的多相電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM��
  3. 電動(dòng)工具、家用電器以及其他需要高效功率控制的電機(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  4. 各種�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路,例如電池管理系�(tǒng)(BMS)中的過(guò)流保�(hù)�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的高頻逆變器和控制器組件�
  此外,該器件還適合其他要求高效率、高可靠性和緊湊�(shè)�(jì)的電力電子應(yīng)��

替代型號(hào)

SI3446CDV-T1-GE3
  IRLR7843PBF
  AO3447A

si3447cdv-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
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  • �(xún)�(jià)

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si3447cdv-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)12V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C7.8A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C36 毫歐 @ 6.3A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs30nC @ 8V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds910pF @ 6V
  • 功率 - 最�3W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSOP�0.065"�1.65mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�6-TSOP
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)SI3447CDV-T1-GE3TR