SI3447CDV 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET 功率晶體管,采用 TrenchFET 第三代技�(shù)制�。該器件具有極低的導(dǎo)通電阻和�(yōu)異的�(kāi)�(guān)性能,適用于高效率功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。其封裝形式� ThinPAK 8x8(T1 封裝�,能夠有效降低寄生電感并提升散熱性能�
這款 MOSFET 廣泛用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及通信電源等場(chǎng)景中�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�54A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.2mΩ
柵極電荷�39nC
輸入電容�3450pF
總熱阻(�(jié)到殼):0.5°C/W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
SI3447CDV 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),� 10V 柵極�(qū)�(dòng)下僅� 1.2mΩ,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高額定電流能力,支持高達(dá) 54A 的連續(xù)漏極電流,適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)��
3. 快速開(kāi)�(guān)速度,得益于較低的柵極電荷和輸出電荷,能夠有效降低開(kāi)�(guān)損��
4. 增強(qiáng)的熱性能�(shè)�(jì),通過(guò)�(yōu)化的 ThinPAK 封裝�(shí)�(xiàn)更低的熱�,確保在高溫�(huán)境下的可靠��
5. 兼容�(biāo)�(zhǔn)表面貼裝工藝,簡(jiǎn)化了生產(chǎn)流程并提高了裝配效率�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),并具備防潮能力,適合大批量生產(chǎn)和長(zhǎng)期存�(chǔ)需��
SI3447CDV 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流和功率因數(shù)校正(PFC��
2. 服務(wù)�、筆記本電腦及通信�(shè)備中的多相電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM��
3. 電動(dòng)工具、家用電器以及其他需要高效功率控制的電機(jī)�(qū)�(dòng)電路�
4. 各種�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路,例如電池管理系�(tǒng)(BMS)中的過(guò)流保�(hù)�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的高頻逆變器和控制器組件�
此外,該器件還適合其他要求高效率、高可靠性和緊湊�(shè)�(jì)的電力電子應(yīng)��
SI3446CDV-T1-GE3
IRLR7843PBF
AO3447A