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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI3447DV-T1-E3

SI3447DV-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 14:32:18 查看 閱讀�10

SI3447DV-T1-E3 是一款由 Siliconix(現(xiàn)� Vishay 的一部分)生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用 TrenchFET? 第三代技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適用于各種功率�(zhuǎn)換和�(fù)載開�(guān)�(yīng)��
  � MOSFET 在設(shè)�(jì)上優(yōu)化了柵極電荷和導(dǎo)通電阻的�(quán)�,從而提高了系統(tǒng)的整體效率并減少了功�。其出色的性能使其成為消費(fèi)電子、通信�(shè)備和工業(yè)�(yīng)用的理想選擇�

參數(shù)

型號(hào):SI3447DV-T1-E3
  類型:N 溝道 MOSFET
  Vds(漏源電壓)�30V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻,典型值)�1.8mΩ @ Vgs=10V
  Id(連續(xù)漏極電流):52A
  Qg(總柵極電荷):9nC
  EAS(雪崩能量)�450mJ
  封裝:TO-263-3(D2PAK�

特�

SI3447DV-T1-E3 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于減少�(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)效率�
  2. 高額定電流能�,適合大功率�(yīng)��
  3. 緊湊� D2PAK 封裝形式,便于安裝和散熱管理�
  4. 采用先�(jìn)� TrenchFET 第三代技�(shù),實(shí)�(xiàn)了更小的尺寸和更低的寄生參數(shù)�
  5. 提供卓越的熱�(wěn)定性和可靠�,支持長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電路中�
  該器件在高頻開關(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠有效降低開�(guān)損耗和電磁干擾(EMI�。此�,其�(jiān)固的�(shè)�(jì)也確保了在惡劣環(huán)境下的可靠工��

�(yīng)�

SI3447DV-T1-E3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  3. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器和逆變器�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
  6. 通信基礎(chǔ)�(shè)施中的高效功率分配網(wǎng)�(luò)�
  7. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的快速充電解決方��
  由于其高效的功率�(zhuǎn)換能力和較低的熱生成,該 MOSFET 特別適合需要高密度功率處理的應(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

SI3406DS-T1-E3
  IRLZ44N
  FDP5570
  AO3400A

si3447dv-t1-e3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si3447dv-t1-e3參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • �(chǎn)品種�MOSFET
  • 晶體管極�P-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓12 V
  • �/源擊穿電�+/- 8 V
  • 漏極連續(xù)電流5.2 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)0.05 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 安裝�(fēng)�SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體TSOP-6
  • 封裝Reel
  • 下降�(shí)�75 ns
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 功率耗散2 W
  • 上升�(shí)�45 ns
  • 工廠包裝�(shù)�3000
  • 商標(biāo)�TrenchFET
  • 典型�(guān)閉延遲時(shí)�100 ns
  • 零件�(hào)別名SI3447DV-E3