SI3447DV-T1-E3 時(shí)間：2025/6/3 14:32:18 閱讀：10

SI3447DV-T1-E3 是一款由 Siliconix（現(xiàn)為 Vishay 的一部分）生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET。該器件采用 TrenchFET? 第三代技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn)，適用于各種功率轉(zhuǎn)換和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。
　　該 MOSFET 在設(shè)計(jì)上優(yōu)化了柵極電荷和導(dǎo)通電阻的權(quán)衡，從而提高了系統(tǒng)的整體效率并減少了功耗。其出色的性能使其成為消費(fèi)電子、通信設(shè)備和工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。

參數(shù)

型號(hào)：SI3447DV-T1-E3
　　類型：N 溝道 MOSFET
　　Vds（漏源電壓）：30V
　　Rds(on)（導(dǎo)通電阻，典型值）：1.8mΩ @ Vgs=10V
　　Id（連續(xù)漏極電流）：52A
　　Qg（總柵極電荷）：9nC
　　EAS（雪崩能量）：450mJ
　　封裝：TO-263-3（D2PAK）

特性

SI3447DV-T1-E3 具有以下主要特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on)，有助于減少導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。
　　2. 高額定電流能力，適合大功率應(yīng)用。
　　3. 緊湊的 D2PAK 封裝形式，便于安裝和散熱管理。
　　4. 采用先進(jìn)的 TrenchFET 第三代技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了更小的尺寸和更低的寄生參數(shù)。
　　5. 提供卓越的熱穩(wěn)定性和可靠性，支持長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行。
　　6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電路中。
　　該器件在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色，能夠有效降低開關(guān)損耗和電磁干擾（EMI）。此外，其堅(jiān)固的設(shè)計(jì)也確保了在惡劣環(huán)境下的可靠工作。

應(yīng)用

SI3447DV-T1-E3 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS）中的同步整流器。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
　　3. 電池管理系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)。
　　4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和逆變器。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
　　6. 通信基礎(chǔ)設(shè)施中的高效功率分配網(wǎng)絡(luò)。
　　7. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的快速充電解決方案。
　　由于其高效的功率轉(zhuǎn)換能力和較低的熱生成，該 MOSFET 特別適合需要高密度功率處理的應(yīng)用場(chǎng)景。