SI3447DV-T1-E3 是一款由 Siliconix(現(xiàn)� Vishay 的一部分)生�(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用 TrenchFET? 第三代技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適用于各種功率�(zhuǎn)換和�(fù)載開�(guān)�(yīng)��
� MOSFET 在設(shè)�(jì)上優(yōu)化了柵極電荷和導(dǎo)通電阻的�(quán)�,從而提高了系統(tǒng)的整體效率并減少了功�。其出色的性能使其成為消費(fèi)電子、通信�(shè)備和工業(yè)�(yīng)用的理想選擇�
型號(hào):SI3447DV-T1-E3
類型:N 溝道 MOSFET
Vds(漏源電壓)�30V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻,典型值)�1.8mΩ @ Vgs=10V
Id(連續(xù)漏極電流):52A
Qg(總柵極電荷):9nC
EAS(雪崩能量)�450mJ
封裝:TO-263-3(D2PAK�
SI3447DV-T1-E3 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于減少�(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 高額定電流能�,適合大功率�(yīng)��
3. 緊湊� D2PAK 封裝形式,便于安裝和散熱管理�
4. 采用先�(jìn)� TrenchFET 第三代技�(shù),實(shí)�(xiàn)了更小的尺寸和更低的寄生參數(shù)�
5. 提供卓越的熱�(wěn)定性和可靠�,支持長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電路中�
該器件在高頻開關(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠有效降低開�(guān)損耗和電磁干擾(EMI�。此�,其�(jiān)固的�(shè)�(jì)也確保了在惡劣環(huán)境下的可靠工��
SI3447DV-T1-E3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
3. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)�
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器和逆變器�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
6. 通信基礎(chǔ)�(shè)施中的高效功率分配網(wǎng)�(luò)�
7. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的快速充電解決方��
由于其高效的功率�(zhuǎn)換能力和較低的熱生成,該 MOSFET 特別適合需要高密度功率處理的應(yīng)用場(chǎng)��
SI3406DS-T1-E3
IRLZ44N
FDP5570
AO3400A