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SI3447DV-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/3 14:32:18 查看 閱讀:10

SI3447DV-T1-E3 是一款由 Siliconix(現(xiàn)為 Vishay 的一部分)生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET。該器件采用 TrenchFET? 第三代技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適用于各種功率轉(zhuǎn)換和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。
  該 MOSFET 在設(shè)計(jì)上優(yōu)化了柵極電荷和導(dǎo)通電阻的權(quán)衡,從而提高了系統(tǒng)的整體效率并減少了功耗。其出色的性能使其成為消費(fèi)電子、通信設(shè)備和工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。

參數(shù)

型號(hào):SI3447DV-T1-E3
  類型:N 溝道 MOSFET
  Vds(漏源電壓):30V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻,典型值):1.8mΩ @ Vgs=10V
  Id(連續(xù)漏極電流):52A
  Qg(總柵極電荷):9nC
  EAS(雪崩能量):450mJ
  封裝:TO-263-3(D2PAK)

特性

SI3447DV-T1-E3 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on),有助于減少導(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)效率。
  2. 高額定電流能力,適合大功率應(yīng)用。
  3. 緊湊的 D2PAK 封裝形式,便于安裝和散熱管理。
  4. 采用先進(jìn)的 TrenchFET 第三代技術(shù),實(shí)現(xiàn)了更小的尺寸和更低的寄生參數(shù)。
  5. 提供卓越的熱穩(wěn)定性和可靠性,支持長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電路中。
  該器件在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠有效降低開關(guān)損耗和電磁干擾(EMI)。此外,其堅(jiān)固的設(shè)計(jì)也確保了在惡劣環(huán)境下的可靠工作。

應(yīng)用

SI3447DV-T1-E3 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
  3. 電池管理系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)。
  4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和逆變器。
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
  6. 通信基礎(chǔ)設(shè)施中的高效功率分配網(wǎng)絡(luò)。
  7. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的快速充電解決方案。
  由于其高效的功率轉(zhuǎn)換能力和較低的熱生成,該 MOSFET 特別適合需要高密度功率處理的應(yīng)用場(chǎng)景。

替代型號(hào)

SI3406DS-T1-E3
  IRLZ44N
  FDP5570
  AO3400A

si3447dv-t1-e3推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

si3447dv-t1-e3參數(shù)

  • 制造商Vishay
  • 產(chǎn)品種類MOSFET
  • 晶體管極性P-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓12 V
  • 閘/源擊穿電壓+/- 8 V
  • 漏極連續(xù)電流5.2 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)0.05 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作溫度+ 150 C
  • 安裝風(fēng)格SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體TSOP-6
  • 封裝Reel
  • 下降時(shí)間75 ns
  • 最小工作溫度- 55 C
  • 功率耗散2 W
  • 上升時(shí)間45 ns
  • 工廠包裝數(shù)量3000
  • 商標(biāo)名TrenchFET
  • 典型關(guān)閉延遲時(shí)間100 ns
  • 零件號(hào)別名SI3447DV-E3