最大漏源電壓：40V
　　連續(xù)漏極電流：24A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：1.2mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
　　柵極電荷：48nC（典型值）
　　輸入電容：2530pF（典型值）
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +175℃
　　封裝形式：PowerPAK SO-8

SI6968ADQ-T1-GE3 的主要特點(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻和高效率表現(xiàn)。得益于先進(jìn)的 TrenchFET 技術(shù)，這款 MOSFET 在高頻工作條件下能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗，并提高整體系統(tǒng)效率。
　　此外，該器件的高電流處理能力和寬溫度范圍使其非常適合在惡劣環(huán)境下運(yùn)行的電路設(shè)計(jì)。同時(shí)，PowerPAK SO-8 封裝具備卓越的熱性能，可有效將熱量散發(fā)到 PCB 上，從而提升長(zhǎng)期可靠性。
　　它的快速開關(guān)特性和低柵極電荷使得 SI6968ADQ-T1-GE3 成為高頻轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇，比如同步整流、多相 VRM 和 POL 轉(zhuǎn)換器等場(chǎng)景。

該芯片的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括但不限于以下：
　　1. 筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
　　2. 多相 VRM 和 POL 轉(zhuǎn)換器
　　3. 電信和網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的負(fù)載開關(guān)
　　4. 電池供電設(shè)備中的高效電源管理
　　5. 各種電機(jī)驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路
　　6. 高效節(jié)能的 LED 驅(qū)動(dòng)器
　　由于其高性能和靈活性，SI6968ADQ-T1-GE3 可以滿足多種復(fù)雜應(yīng)用需求。

SI6967ADQ-T1-GE3, SI6969ADQ-T1-GE3