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SI6968ADQ-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/5 21:55:33 查看 閱讀:11

SI6968ADQ-T1-GE3 是一款由 Vishay 推出的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技術(shù)制造,具有極低的導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度,適合高頻開關(guān)應(yīng)用。其封裝形式為 PowerPAK SO-8,能夠提供出色的散熱性能和緊湊的設(shè)計(jì)方案。
  該器件廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、通信設(shè)備以及工業(yè)控制等領(lǐng)域,例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等。

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流:24A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
  柵極電荷:48nC(典型值)
  輸入電容:2530pF(典型值)
  工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +175℃
  封裝形式:PowerPAK SO-8

特性

SI6968ADQ-T1-GE3 的主要特點(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻和高效率表現(xiàn)。得益于先進(jìn)的 TrenchFET 技術(shù),這款 MOSFET 在高頻工作條件下能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗,并提高整體系統(tǒng)效率。
  此外,該器件的高電流處理能力和寬溫度范圍使其非常適合在惡劣環(huán)境下運(yùn)行的電路設(shè)計(jì)。同時(shí),PowerPAK SO-8 封裝具備卓越的熱性能,可有效將熱量散發(fā)到 PCB 上,從而提升長(zhǎng)期可靠性。
  它的快速開關(guān)特性和低柵極電荷使得 SI6968ADQ-T1-GE3 成為高頻轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇,比如同步整流、多相 VRM 和 POL 轉(zhuǎn)換器等場(chǎng)景。

應(yīng)用

該芯片的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括但不限于以下:
  1. 筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
  2. 多相 VRM 和 POL 轉(zhuǎn)換器
  3. 電信和網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的負(fù)載開關(guān)
  4. 電池供電設(shè)備中的高效電源管理
  5. 各種電機(jī)驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路
  6. 高效節(jié)能的 LED 驅(qū)動(dòng)器
  由于其高性能和靈活性,SI6968ADQ-T1-GE3 可以滿足多種復(fù)雜應(yīng)用需求。

替代型號(hào)

SI6967ADQ-T1-GE3, SI6969ADQ-T1-GE3

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