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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SI9934DY-T1-GE3

SI9934DY-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 15:20:21 查看 閱讀�32

SI9934DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用� TrenchFET 第三代技�(shù),具有極低的�(dǎo)通電阻和出色的開�(guān)性能,適合用于高�、高效率的應(yīng)用場(chǎng)景。其小型化的封裝�(shè)�(jì)(TSOP6)使其非常適合空間受限的�(shè)�(jì)�(huán)��
  這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于消費(fèi)電子、通信�(shè)�、計(jì)算機(jī)外設(shè)以及工業(yè)控制等領(lǐng)域中的負(fù)載開�(guān)、DC/DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和電池保�(hù)電路等應(yīng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�28A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷�19nC
  總電容:1040pF
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�

特�

SI9934DY-T1-GE3 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 僅為 1.5mΩ,可顯著降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高效的開�(guān)性能,柵極電荷僅� 19nC,適用于高頻�(yīng)用場(chǎng)景�
  3. 具備出色的熱�(wěn)定�,能夠在高達(dá) 175� 的結(jié)溫下正常工作�
  4. 小巧� TSOP6 封裝,節(jié)� PCB 空間,適合便攜式�(shè)備和高密度設(shè)�(jì)�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持�(wú)鉛焊接工��

�(yīng)�

該芯片的�(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛,主要包括以下幾�(gè)方面�
  1. 筆記本電腦及平板電腦中的�(fù)載開�(guān)和電源管��
  2. 高效 DC/DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
  3. 手機(jī)和其他移�(dòng)�(shè)備中的電池保�(hù)和充電管��
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)和信�(hào)切換�
  5. 通信基站和服�(wù)器中的電源模塊設(shè)�(jì)�

替代型號(hào)

SI9934AL-T1-E3, SIH9934DN-E3

si9934dy-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)