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SQCB7M5R6BATME500 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/28 16:59:09 查看 閱讀:14

SQCB7M5R6BATME500 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的高效功率開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于高頻率、高效率的電源轉(zhuǎn)換場景。該芯片采用了先進(jìn)的封裝技術(shù),能夠提供卓越的電氣性能和熱管理能力。其設(shè)計(jì)目標(biāo)是滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對更高功率密度和更小尺寸的需求。
  該芯片內(nèi)部集成了保護(hù)功能,如過流保護(hù)、短路保護(hù)以及過溫保護(hù)等,確保在各種復(fù)雜工況下的可靠運(yùn)行。

參數(shù)

型號:SQCB7M5R6BATME500
  類型:GaN 功率開關(guān)
  額定電壓:650V
  額定電流:5A
  導(dǎo)通電阻:6mΩ
  開關(guān)頻率:最高支持 3MHz
  封裝形式:TO-LEADLESS(無引腳表面貼裝)
  工作溫度范圍:-40°C 至 +125°C

特性

SQCB7M5R6BATME500 的主要特性包括:
  1. 超低導(dǎo)通電阻(6mΩ),有效減少傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。
  2. 支持高達(dá) 3MHz 的開關(guān)頻率,適合高頻應(yīng)用環(huán)境,如 LLC 諧振變換器。
  3. 內(nèi)置多重保護(hù)機(jī)制,例如過流保護(hù)、短路保護(hù)及過溫保護(hù),提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。
  4. 使用 GaN 材料制造,具備更快的開關(guān)速度和更低的寄生電容,從而減少開關(guān)損耗。
  5. 小型化的 TO-LEADLESS 封裝設(shè)計(jì),有助于降低 PCB 面積需求,并優(yōu)化散熱性能。
  6. 寬廣的工作溫度范圍(-40°C 至 +125°C),適應(yīng)多種極端環(huán)境的應(yīng)用場景。

應(yīng)用

SQCB7M5R6BATME500 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS):用于提高效率和功率密度。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器:特別適用于高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。
  3. 快速充電器:支持高效、快速充電功能的移動設(shè)備充電解決方案。
  4. 電機(jī)驅(qū)動器:為高效率電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)提供核心元件。
  5. 太陽能微型逆變器:助力實(shí)現(xiàn)高效的太陽能電力轉(zhuǎn)換。
  6. 數(shù)據(jù)中心電源:滿足數(shù)據(jù)中心對高性能電源模塊的需求。

替代型號

SQCB7M5R6BA, SQCB7M5R6BAXME500

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