SS26T3G是一種高性能的MOSFET晶體�,主要應(yīng)用于開關(guān)和放大電路中。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度以及良好的熱�(wěn)定性等�(yōu)�(diǎn)。SS26T3G通常被用于電源管�、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效能功率開關(guān)的應(yīng)用場��
SS26T3G為N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體�,通過柵極電壓控制漏極與源極之間的電流流動(dòng),能夠提供高效的電流傳輸和較低的能量損��
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
耐壓(Vds)�60V
連續(xù)漏極電流(Id)�3.4A
柵極閾值電�(Vgs(th))�1.5V~3.5V
�(dǎo)通電�(Rds(on))�0.07Ω(典型�,Vgs=10V�(shí)�
總功�(Ptot)�890mW
工作溫度范圍�-55℃~150�
SS26T3G具備以下主要特性:
1. 高效的開�(guān)性能,適用于高頻�(yīng)用環(huán)境�
2. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有助于降低能��
3. 較寬的工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條��
4. 快速的開關(guān)速度,減少開�(guān)損��
5. �(wěn)定的電氣參數(shù),在長時(shí)間使用中保持一致性能�
6. 小型封裝�(shè)�(jì),適合空間受限的�(yīng)用場��
這些特點(diǎn)使得SS26T3G成為許多電力電子系統(tǒng)中的理想選擇�
SS26T3G廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流開關(guān)�
3. 電池保護(hù)電路中的�(fù)載開�(guān)�
4. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)用中的功率控��
5. 過流保護(hù)及短路保�(hù)電路�
6. 汽車電子系統(tǒng)中的功率分配與控制�
由于其優(yōu)異的性能和可靠�,SS26T3G在工�(yè)自動(dòng)化、消�(fèi)電子以及汽車電子等領(lǐng)域得到了廣泛�(yīng)��
SSM3J383R, IRLML6402, FDN337N