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SS26T3G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 10:08:44 查看 閱讀�34

SS26T3G是一種高性能的MOSFET晶體�,主要應(yīng)用于開關(guān)和放大電路中。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度以及良好的熱�(wěn)定性等�(yōu)�(diǎn)。SS26T3G通常被用于電源管�、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效能功率開關(guān)的應(yīng)用場��
  SS26T3G為N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體�,通過柵極電壓控制漏極與源極之間的電流流動(dòng),能夠提供高效的電流傳輸和較低的能量損��

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  耐壓(Vds)�60V
  連續(xù)漏極電流(Id)�3.4A
  柵極閾值電�(Vgs(th))�1.5V~3.5V
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�0.07Ω(典型�,Vgs=10V�(shí)�
  總功�(Ptot)�890mW
  工作溫度范圍�-55℃~150�

特�

SS26T3G具備以下主要特性:
  1. 高效的開�(guān)性能,適用于高頻�(yīng)用環(huán)境�
  2. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有助于降低能��
  3. 較寬的工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條��
  4. 快速的開關(guān)速度,減少開�(guān)損��
  5. �(wěn)定的電氣參數(shù),在長時(shí)間使用中保持一致性能�
  6. 小型封裝�(shè)�(jì),適合空間受限的�(yīng)用場��
  這些特點(diǎn)使得SS26T3G成為許多電力電子系統(tǒng)中的理想選擇�

�(yīng)�

SS26T3G廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流開關(guān)�
  3. 電池保護(hù)電路中的�(fù)載開�(guān)�
  4. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)用中的功率控��
  5. 過流保護(hù)及短路保�(hù)電路�
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的功率分配與控制�
  由于其優(yōu)異的性能和可靠�,SS26T3G在工�(yè)自動(dòng)化、消�(fèi)電子以及汽車電子等領(lǐng)域得到了廣泛�(yīng)��

替代型號(hào)

SSM3J383R, IRLML6402, FDN337N

ss26t3g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ss26t3g資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
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ss26t3g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭單二極管/整流�
  • 系列-
  • 二極管類�肖特�
  • 電壓 - (Vr)(最大)60V
  • 電流 - 平均整流 (Io)2A
  • 電壓 - � If �(shí)為正� (Vf)(最大)630mV @ 2A
  • 速度快速恢�(fù) = 200mA(Io�
  • 反向恢復(fù)�(shí)�(trr)-
  • 電流 - � Vr �(shí)反向漏電200µA @ 60V
  • 電容@ Vr, F-
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼DO-214AA,SMB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SMB
  • 包裝Digi-Reel®
  • 其它名稱SS26T3GOSDKR