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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > TF207N

TF207N 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/21 14:23:14 查看 閱讀�22

TF207N是一種基于硅材料的高頻功率晶體管,主要用于射頻(RF)和�(wú)�(xiàn)通信�(yīng)用中的信�(hào)放大。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有高增益、低噪聲和高�(xiàn)性度的特�(diǎn),能夠滿(mǎn)足現(xiàn)代通信系統(tǒng)�(duì)性能和效率的要求�
  TF207N適用于各種射頻功率放大器�(shè)�(jì),包括無(wú)�(xiàn)基礎(chǔ)�(shè)�、工�(yè)科學(xué)�(yī)療(ISM)設(shè)備以及業(yè)余無(wú)�(xiàn)電領(lǐng)�。其封裝形式通常為T(mén)O-126或SOT-23�,具體取決于制造商的工藝標(biāo)�(zhǔn)�

參數(shù)

集電�-�(fā)射極電壓�50V
  集電極電流:2A
  功率增益�20dB
  工作頻率范圍�1MHz � 300MHz
  最大耗散功率�10W
  特征頻率(fT)�800MHz
  存儲(chǔ)溫度范圍�-55� � +150�
  �(jié)溫:+175�

特�

TF207N的核心優(yōu)�(shì)在于其高頻性能與穩(wěn)定�。首�,它具備較高的特征頻率(fT�,能夠在較寬的工作頻率范圍內(nèi)提供�(wěn)定的增益表現(xiàn),特別適合需要高頻放大的�(yīng)用場(chǎng)��
  其次,該晶體管的低噪聲系�(shù)使其成為射頻電路的理想選�,尤其是在接收機(jī)前端的應(yīng)用中可以有效降低整體系統(tǒng)的噪聲水平�
  此外,TF207N在高溫環(huán)境下的可靠運(yùn)行能力也是一大亮�(diǎn),這得益于其較高的�(jié)溫和寬泛的存�(chǔ)溫度范圍,確保了器件在惡劣條件下的穩(wěn)定性和壽命�
  最�,其緊湊的封裝形式不僅節(jié)省了PCB空間,還提升了散熱效�,使得其更易于集成到�(fù)雜的�(shè)�(jì)�(dāng)��

�(yīng)�

TF207N廣泛�(yīng)用于各類(lèi)高頻電子�(shè)備中,例如:
  1. 射頻功率放大器(用于�(wú)�(xiàn)通信基站、Wi-Fi路由器等)�
  2. 工業(yè)科學(xué)�(yī)療(ISM)頻段的�(wú)�(xiàn)�(fā)射模��
  3. �(chē)載無(wú)�(xiàn)電設(shè)備及�(dǎo)航系�(tǒng)中的信號(hào)放大組件�
  4. �(yè)余無(wú)�(xiàn)電愛(ài)好者制作的小型短波電臺(tái)�
  5. 高速數(shù)�(jù)傳輸系統(tǒng)的前置放大器部分�
  總之,任何需要高性能射頻信號(hào)放大的場(chǎng)合都可以考慮使用TF207N�

替代型號(hào)

MOSFET_TF208N, BFR96, RF207

tf207n推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)