TFS060N02M是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管(e-mode HEMT),專為高頻、高效率應(yīng)用場景設(shè)計(jì)。該器件采用小型化的SMD封裝形式,適用于高頻功率轉(zhuǎn)換和射頻應(yīng)用領(lǐng)域,具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能的特點(diǎn)。
最大漏源電壓:200V
連續(xù)漏極電流:6A
導(dǎo)通電阻:160mΩ
柵極閾值電壓:2.5V~4.5V
輸入電容:930pF
反向恢復(fù)時(shí)間:無
工作溫度范圍:-55℃~175℃
TFS060N02M使用了先進(jìn)的GaN技術(shù),提供卓越的開關(guān)性能和較低的導(dǎo)通損耗。與傳統(tǒng)硅基MOSFET相比,它的開關(guān)速度更快,寄生電感更低,能夠顯著提高系統(tǒng)效率和功率密度。
GaN材料具備更高的電子遷移率和擊穿場強(qiáng),因此在高頻和高壓應(yīng)用中表現(xiàn)出色。此外,其緊湊的尺寸有助于減少PCB空間占用,并支持更小的整體設(shè)計(jì)。
該器件還具有良好的熱穩(wěn)定性和可靠性,在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的性能輸出。這些特點(diǎn)使其非常適合于DC-DC轉(zhuǎn)換器、無線充電設(shè)備、激光雷達(dá)驅(qū)動(dòng)以及各類高效電源管理方案中。
TFS060N02M廣泛應(yīng)用于高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器、圖騰柱PFC電路、無線充電發(fā)射端、電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器、車載充電器(OBC)、服務(wù)器電源模塊以及工業(yè)級(jí)開關(guān)電源等場景。
同時(shí),它也適用于需要高效率和高頻率操作的射頻放大器和脈沖生成電路。由于其出色的耐壓能力,這款GaN晶體管同樣適合用在新能源汽車的電力電子系統(tǒng)中。
TGF2006HE, EPC2018