最大漏源電壓：200V
　　連續(xù)漏極電流：6A
　　導(dǎo)通電阻：160mΩ
　　柵極閾值電壓：2.5V~4.5V
　　輸入電容：930pF
　　反向恢復(fù)時(shí)間：無
　　工作溫度范圍：-55℃~175℃

TFS060N02M使用了先進(jìn)的GaN技術(shù)，提供卓越的開關(guān)性能和較低的導(dǎo)通損耗。與傳統(tǒng)硅基MOSFET相比，它的開關(guān)速度更快，寄生電感更低，能夠顯著提高系統(tǒng)效率和功率密度。
　　GaN材料具備更高的電子遷移率和擊穿場強(qiáng)，因此在高頻和高壓應(yīng)用中表現(xiàn)出色。此外，其緊湊的尺寸有助于減少PCB空間占用，并支持更小的整體設(shè)計(jì)。
　　該器件還具有良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的性能輸出。這些特點(diǎn)使其非常適合于DC-DC轉(zhuǎn)換器、無線充電設(shè)備、激光雷達(dá)驅(qū)動(dòng)以及各類高效電源管理方案中。

TFS060N02M廣泛應(yīng)用于高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器、圖騰柱PFC電路、無線充電發(fā)射端、電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器、車載充電器（OBC）、服務(wù)器電源模塊以及工業(yè)級(jí)開關(guān)電源等場景。
　　同時(shí)，它也適用于需要高效率和高頻率操作的射頻放大器和脈沖生成電路。由于其出色的耐壓能力，這款GaN晶體管同樣適合用在新能源汽車的電力電子系統(tǒng)中。

TGF2006HE, EPC2018