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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > V24B12T200BL

V24B12T200BL 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 16:43:29 查看 閱讀�22

V24B12T200BL 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),主要用于開�(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠顯著提高效率并降低功��
  其主要特�(diǎn)包括高耐壓能力、低柵極電荷以及出色的熱性能,適用于各種工業(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理場(chǎng)��

參數(shù)

型號(hào):V24B12T200BL
  類型:N-Channel MOSFET
  封裝形式:TO-263 (D2PAK)
  最大漏源電�(Vdss)�200V
  最大連續(xù)漏電�(Id)�12A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�0.17Ω(典型�,在 Vgs=10V �(shí)�
  柵極電荷(Qg)�28nC(典型值)
  總功�(Ptot)�175W
  工作溫度范圍(Ta)�-55°C � +175°C
  �(jié)�(Tj)�-55°C � +175°C

特�

V24B12T200BL 的主要優(yōu)�(shì)在于其卓越的電氣性能和可靠�。它具有較低的導(dǎo)通電� Rds(on),能夠在高電流條件下減少功率損耗。此外,其快速的開關(guān)速度有助于降低開�(guān)損�,從而提升整體效率�
  該器件還具備良好的熱�(wěn)定�,使其能夠在惡劣的工作環(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)�。由于采� TO-263 封裝,便于安裝和散熱�(shè)�(jì),因此非常適合需要高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)景�
  V24B12T200BL 還具有抗雪崩能力和靜電保�(hù)功能,增�(qiáng)了其在實(shí)際應(yīng)用中的耐用性和安全��

�(yīng)�

這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于:
  - 開關(guān)電源(SMPS�
  - DC/DC �(zhuǎn)換器
  - 電機(jī)�(qū)�(dòng)
  - 工業(yè)控制�(shè)�
  - 消費(fèi)電子�(chǎn)品的功率管理模塊
  - 充電器及適配�
  - 照明系統(tǒng)中的 LED �(qū)�(dòng)電路
  其高耐壓和大電流承載能力使其成為許多高功率應(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

V24B12T250BL
  IRFZ44N
  FDP5570
  STP12NK06Z

v24b12t200bl推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

v24b12t200bl參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別電源 - 板載
  • 家庭DC DC Converters
  • 系列迷你�
  • 類型隔離
  • 輸出�(shù)1
  • 電壓 - 輸入(最?�?/span>18V
  • 電壓 - 輸入(最大)36V
  • Voltage - Output 112V
  • Voltage - Output 2-
  • Voltage - Output 3-
  • 電流 - 輸出(最大)*
  • 電源(瓦� - 制造商系列200W
  • 電壓 - 隔離*
  • 特點(diǎn)*
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼模塊
  • 尺寸/尺寸2.28" L x 2.20" W x 0.62" H�57.9mm x 55.9mm x 15.7mm�
  • 包裝散裝
  • 工作溫度-40°C ~ 100°C
  • 效率*
  • 電源(瓦特)- 最�*