V24B12T200BL 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),主要用于開�(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠顯著提高效率并降低功��
其主要特�(diǎn)包括高耐壓能力、低柵極電荷以及出色的熱性能,適用于各種工業(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理場(chǎng)��
型號(hào):V24B12T200BL
類型:N-Channel MOSFET
封裝形式:TO-263 (D2PAK)
最大漏源電�(Vdss)�200V
最大連續(xù)漏電�(Id)�12A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�0.17Ω(典型�,在 Vgs=10V �(shí)�
柵極電荷(Qg)�28nC(典型值)
總功�(Ptot)�175W
工作溫度范圍(Ta)�-55°C � +175°C
�(jié)�(Tj)�-55°C � +175°C
V24B12T200BL 的主要優(yōu)�(shì)在于其卓越的電氣性能和可靠�。它具有較低的導(dǎo)通電� Rds(on),能夠在高電流條件下減少功率損耗。此外,其快速的開關(guān)速度有助于降低開�(guān)損�,從而提升整體效率�
該器件還具備良好的熱�(wěn)定�,使其能夠在惡劣的工作環(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)�。由于采� TO-263 封裝,便于安裝和散熱�(shè)�(jì),因此非常適合需要高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)景�
V24B12T200BL 還具有抗雪崩能力和靜電保�(hù)功能,增�(qiáng)了其在實(shí)際應(yīng)用中的耐用性和安全��
這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于:
- 開關(guān)電源(SMPS�
- DC/DC �(zhuǎn)換器
- 電機(jī)�(qū)�(dòng)
- 工業(yè)控制�(shè)�
- 消費(fèi)電子�(chǎn)品的功率管理模塊
- 充電器及適配�
- 照明系統(tǒng)中的 LED �(qū)�(dòng)電路
其高耐壓和大電流承載能力使其成為許多高功率應(yīng)用的理想選擇�
V24B12T250BL
IRFZ44N
FDP5570
STP12NK06Z