WPE11VD3BB 是一款高性能的功率MOSFET,采� N 灃道結構設計。該器件主要應用于開關電源、DC-DC 轉換器以及電機驅動等場景。其�(yōu)化的柵極電荷和導通電阻特性使得該器件在高頻應用中表現(xiàn)出色,同時具備良好的熱穩(wěn)定性和抗浪涌能��
WPE11VD3BB 的封裝形式通常� TO-220 � DPAK,能夠承受較高的電壓和電流負載,適用于需要高效能與低功耗的電子系統(tǒng)�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�30A
導通電阻:4mΩ
柵極電荷�9nC
總電容:150pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
WPE11VD3BB 具備以下顯著特點�
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,可有效降低傳導損�,提高整體效率�
2. �(yōu)化的柵極電荷設計,支持高頻開關操�,減少開關損��
3. 高雪崩能量能�,增強了器件的魯棒�,使其能夠在惡劣�(huán)境下正常運行�
4. 快速開關速度,確保在高頻條件下仍保持高效��
5. 熱增強型封裝設計,有助于提升散熱性能,延長器件壽��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適合�(xiàn)代綠色能源解決方��
WPE11VD3BB 廣泛用于以下領域�
1. 開關電源 (SMPS) 中的主開關管或同步整流管�
2. DC-DC 轉換器中的功率級開關元件�
3. 電機驅動電路中的橋式配置 MOSFET�
4. 工業(yè)控制設備中的功率轉換模塊�
5. 太陽能逆變器及電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的關鍵功率處理組件�
6. 各類消費類電子產品中的高效能電源管理單元�
IRFZ44N, FDP5800, STP30NF06L