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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > ZVP2106GTA

ZVP2106GTA 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/8/11 16:52:11 查看 閱讀�320

�(chǎn)品種類:MOSFET小信�(hào)

目錄

概述

制造商:DiodesInc.

�(chǎn)品種類:MOSFET小信�(hào)

RoHS:是

配置:SingleDualDrain

晶體管極性:P-Channel

電阻汲極/源極RDS(導(dǎo)通)�5Ohms

汲極/源極擊穿電壓�-60V

�/源擊穿電壓:+/-20V

漏極連續(xù)電流�-450mA

功率耗散�2W

最大工作溫度:+150�

安裝�(fēng)格:SMD/SMT

封裝/箱體:SOT-223

封裝:Reel

最小工作溫度:-55�

StandardPackQty�1000

zvp2106gta推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

zvp2106gta參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C450mA
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5 歐姆 @ 500mA�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3.5V @ 1mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs-
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds100pF @ 18V
  • 功率 - 最�2W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-261-4,TO-261AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-223
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱ZVP2106GTR