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靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)�
閱讀�11881�(shí)間:2011-03-07 17:01:50

  靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)�,英文為SRAM(Static Random Access Memory�,簡(jiǎn)稱靜�(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)�,是一種不需要刷新電路即能保存其�(nèi)部存�(chǔ)�(shù)�(jù)�隨機(jī)存取存儲(chǔ)�。靜�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器速度�,不必配��(nèi)�刷新電路,可提高整體的工作效�,但亦存在集成度低、功耗較�、相同的容量體積較大、而且�(jià)格較高等缺點(diǎn)�

概述

  靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種,所謂的“靜�(tài)�,是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電,里面儲(chǔ)存的�(shù)�(jù)就可以恒常保��

  在同樣的�(yùn)作頻率下,由于SRAM�(duì)稱的電路�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),使得每�(gè)記憶單元�(nèi)所�(chǔ)存的�(shù)值都能以比動(dòng)�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)快的速率被讀�。除此之�,由于SRAM通常都被�(shè)�(jì)成一次就讀取所有的資料位元(Bit�,比起高低位址的資料交互讀取的DRAM,在讀取效率上也快上很�。因此雖然SRAM的生�(chǎn)成本比較高,但在需要高速讀寫資料的地方,如電腦上的快取 (Cache),還是會(huì)使用SRAM,而非DRAM�

原理

  靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用某種觸�(fā)器來(lái)�(chǔ)存每一位內(nèi)存信�,存�(chǔ)單元使用的觸�(fā)器是由引線將4-6�(gè)晶體管連接而成,但�(wú)須刷�。這使得靜�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器要比動(dòng)�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器快得多。但由于�(gòu)造比較復(fù)雜,靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元要比動(dòng)�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器占�(jù)更多的芯片空�。所以單�(gè)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器芯片的存儲(chǔ)量會(huì)小一些,這也使得靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的�(jià)格要貴得��

特點(diǎn)

  靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是工作速度快,只要電源不撤�,寫入SRAM的信息就不會(huì)消失,不需要刷新電�,同�(shí)在讀出時(shí)不破壞原�(lái)存放的信�,一�(jīng)寫入可多次讀�,但集成度較低,功耗較�。靜�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器一般用�(lái)作為�(jì)算機(jī)中的高速緩沖存�(chǔ)�(Cache)�

�(jié)�(gòu)

  靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器一般由五大部分組成,即存儲(chǔ)單元陣列、地址譯碼�(包括行譯碼器和列譯碼�)、靈敏放火器、控制電路和緩沖/�(qū)�(dòng)電路。在圖中,A0-Am-1為地址輸入�,CSB、WEB和OEB為控制端,控制讀寫操作,為低電平有效�1100-11ON-1為數(shù)�(jù)輸入輸出�。存�(chǔ)陣列中的每�(gè)存儲(chǔ)單元都與其它單元在行和列上共享電�(xué)連接,其中水平方向的連線稱為“字線”,而垂直方向的�(shù)�(jù)流入和流出存�(chǔ)單元的連線稱為“位線�。通過輸入的地址可選擇特定的字線和位�,字線和位線的交叉處就是被選中的存儲(chǔ)單元,每一�(gè)存儲(chǔ)單元都是按這種方法被選中,然后再對(duì)其�(jìn)行讀寫操�。有的存�(chǔ)器設(shè)�(jì)成多位數(shù)�(jù)�4位或8位等同時(shí)輸入和輸�,這樣的話,就�(huì)同時(shí)�4�(gè)�8�(gè)存儲(chǔ)單元按上述方法被選中�(jìn)行讀寫操��

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)圖

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器結(jié)�(gòu)�

  在靜�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中,排成矩陣形式的存儲(chǔ)單元陣列的周圍是譯碼器和與外部信�(hào)的接口電路。存�(chǔ)單元陣列通常采用正方形或矩陣的形�,以減少整�(gè)芯片面積并有利于�(shù)�(jù)的存�。以一�(gè)存儲(chǔ)容量�4K位的SRAM為例,共需12條地址線來(lái)保證每一�(gè)存儲(chǔ)單元都能被選�(212 =-4096)。如果存�(chǔ)單元陣列被排列成只包含一列的�(zhǎng)條形,則需要一�(gè)12/4K位的譯碼�,但如果排列成包�64行和64列的正方形,這時(shí)則只需一�(gè)6/64位的行譯碼器和一�(gè)6/64位的列譯碼器,行、列譯碼器可分別排列在存�(chǔ)單元陣列的兩��64行和64列共�4096�(gè)交叉�(diǎn),每一�(gè)�(diǎn)就對(duì)�(yīng)一�(gè)存儲(chǔ)位。因�,將存儲(chǔ)單元排列成正方形比排列成一列的�(zhǎng)條形要大大地減少整�(gè)芯片地面積。存�(chǔ)單元排列成長(zhǎng)條形除了形狀奇異和面積大以外,還有一�(gè)缺點(diǎn),那就是排在列的上部的存�(chǔ)單元與數(shù)�(jù)輸入/輸出端的連線就會(huì)變得很長(zhǎng),特別是�(duì)于容量比較大得存�(chǔ)器來(lái)�(shuō),情況就更為�(yán)�,而連線的延遲至少是與它的長(zhǎng)度成線性關(guān)�,連線越長(zhǎng),線上的延遲就越�,所以就�(huì)�(dǎo)致讀寫速度的降低和不同存儲(chǔ)單元連線延遲的不一致�,這些都是在設(shè)�(jì)中需要避免的�

四倍數(shù)�(jù)速率

  QDR是Quad Data Rate Static Random Access Memory(QDR SRAM)的縮�,也就是四倍數(shù)�(jù)速率靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的意思。QDR的四倍數(shù)�(jù)速率是相�(duì)普通SRAM而言��

  普通SRAM使用半雙工總�,即在同一�(shí)刻只能�(jìn)行讀或者寫操作(讀/寫共用一條數(shù)�(jù)通道),所以普通SRAM又稱作SDR(Single Data Rate) SRAM,即“單倍數(shù)�(jù)速率靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器��

  DDR(Double Data Rate) SRAM在SDR SRAM的基�(chǔ)上做了改�(jìn),與SDR SRAM只在參考時(shí)鐘的上升沿采樣數(shù)�(jù)不同,DDR SRAM在參考時(shí)鐘的上升沿和下降沿都采樣�(shù)�(jù),這樣,DDR SRAM在一�(gè)�(shí)鐘周期內(nèi)可以傳輸雙倍數(shù)�(jù),DDR SRAM(雙倍數(shù)�(jù)速率SRAM)也是由此得名��

四倍數(shù)據(jù)速率靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

四倍數(shù)�(jù)速率靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)�

  QDR在保留DDR特征的基�(chǔ)�,對(duì)其數(shù)�(jù)總線�(jìn)行了升級(jí),DDR只有一條數(shù)�(jù)通道,數(shù)�(jù)讀/寫操作共用,屬于半雙工工作方�,而QDR擁有兩獨(dú)立條�(shù)�(jù)通道,數(shù)�(jù)讀/寫操作可以同�(shí)�(jìn)�,屬于全雙工工作方式,因�,QDR的數(shù)�(jù)存取速率又是DDR的兩��

  這樣�(jì)算下�(lái),QDR的數(shù)�(jù)存取速率是SDR的四�,四倍數(shù)�(jù)速率的雅稱也因此而來(lái)。QDR1/2/3的工作頻率分別為200/333/500MHz。在高速通信系統(tǒng)�(40G/100G)基本上都使用QDR�

維庫(kù)電子�,電子知�(shí),一查百��

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