GA1812A390JBLAT31G 是一款基� GaN(氮化鎵)技�(shù)的高效功率晶體管,專為高�、高功率密度�(yīng)用場景設(shè)�。該器件采用先進的增強� HEMT(高電子遷移率晶體管)結(jié)�(gòu),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,非常適合用于電源轉(zhuǎn)�、DC-DC �(zhuǎn)換器、無線充電以及工�(yè)�(qū)動等�(lǐng)��
其封裝形式為表面貼裝�,能夠提供優(yōu)異的散熱性能,同時具備較高的可靠性和�(wěn)定��
型號:GA1812A390JBLAT31G
類型:GaN 功率晶體�
額定電壓�650V
額定電流�40A
�(dǎo)通電阻:39mΩ
柵極�(qū)動電壓:+6V / -4V
最大工作溫度:-40°C � +150°C
封裝形式:TO-247-3L
存儲溫度范圍�-55°C � +175°C
GA1812A390JBLAT31G 的主要特性包括:
1. 高效開關(guān)性能:得益于 GaN 技�(shù),該器件擁有極低的開�(guān)損耗,能夠在高頻下保持高效��
2. 低導(dǎo)通電阻:39mΩ 的導(dǎo)通電阻確保了較低的傳�(dǎo)損�,提高了整體系統(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)速度:具有超短的開關(guān)時間和低柵極電荷,適合高頻應(yīng)用�
4. 熱穩(wěn)定性:�(yōu)化的封裝�(shè)計提供了良好的熱管理能力,使其在高溫�(huán)境下依然保持高性能�
5. 可靠性:�(jīng)過嚴格的測試和驗�,確保了器件在各種復(fù)雜環(huán)境下的穩(wěn)定運行�
6. 易于�(qū)動:兼容標準 MOSFET �(qū)動電�,降低了�(shè)計難��
GA1812A390JBLAT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS)�
包括 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器,尤其是在高頻軟開關(guān)拓撲中表�(xiàn)卓越�
2. 充電器:
適用于快充適配器及無線充電設(shè)�,提升充電效率并減小體積�
3. 工業(yè)�(qū)動:
如伺服電機驅(qū)動器、逆變器等,需要高效能量轉(zhuǎn)換的場景�
4. 新能源:
太陽能微逆變�、儲能系�(tǒng)中的電力�(zhuǎn)換模��
5. �(shù)�(jù)中心電源�
提供高效的電源解決方案以降低能��
GAN040-650WSA, GS66508T