封裝：1812
　　電容值：2.7uF
　　額定電壓：50V
　　介質(zhì)材料：X7R
　　耐紋波電流能力：較高
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +125℃
　　尺寸：1.8mm x 1.2mm
　　ESR(等效串聯(lián)電阻)：低
　　DF(損耗因子)：小于2%

GA1812Y274JBCAT31G采用了先進(jìn)的多層陶瓷制造工藝，確保了其在高頻應(yīng)用中的卓越性能。
　　1. 溫度穩(wěn)定性：作為X7R介質(zhì)類(lèi)型的電容器，其在-55℃至+125℃的工作溫度范圍內(nèi)，容量變化不超過(guò)±15%，非常適合對(duì)溫度要求較高的場(chǎng)景。
　　2. 高頻性能：由于其極低的等效串聯(lián)電阻（ESR）和損耗因子（DF），在高頻電路中表現(xiàn)出色，能夠有效減少信號(hào)損失和干擾。
　　3. 可靠性：經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的老化測(cè)試和環(huán)境測(cè)試，產(chǎn)品具備高可靠性，適用于工業(yè)級(jí)和汽車(chē)級(jí)應(yīng)用場(chǎng)景。
　　4. 緊湊設(shè)計(jì)：采用1812封裝形式，體積小巧但性能強(qiáng)大，適合需要高密度布局的設(shè)計(jì)方案。

該電容器主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 工業(yè)控制設(shè)備中的電源濾波和去耦電路。
　　2. 汽車(chē)電子系統(tǒng)，如發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元（ECU）、信息娛樂(lè)系統(tǒng)以及傳感器接口電路。
　　3. 通信設(shè)備中的射頻模塊，例如基站、路由器和移動(dòng)終端中的信號(hào)調(diào)理電路。
　　4. 醫(yī)療設(shè)備中的精密儀器電路，如超聲波成像儀、監(jiān)護(hù)儀等。
　　5. 消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品，如智能手機(jī)、平板電腦及其他便攜式設(shè)備的電源管理部分。

C1812C274J5GACTU,Kemet C1812C274M5G,X7R 1812 2.7uF 50V