PU150-41B是一種功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動等需要高效能功率控制的場景。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點,能夠有效減少能量損耗并提高系統(tǒng)效率。
該型號屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,通常用于中高電壓應(yīng)用場合,例如汽車電子、工業(yè)控制以及消費類電子產(chǎn)品中的功率管理模塊。
最大漏源電壓:150V
連續(xù)漏極電流:41A
導(dǎo)通電阻:2.8mΩ
柵極電荷:97nC
工作溫度范圍:-55℃至+175℃
封裝形式:TO-247
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于降低功耗,提升整體效率。
2. 快速的開關(guān)速度,可適應(yīng)高頻應(yīng)用場景,同時減少開關(guān)損耗。
3. 高雪崩耐量能力,增強(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒性。
4. 寬廣的工作溫度范圍,確保其在極端環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 良好的熱性能表現(xiàn),有助于散熱設(shè)計的簡化和優(yōu)化。
該功率MOSFET適用于多種領(lǐng)域,包括但不限于以下應(yīng)用:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)元件。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流或高端開關(guān)。
3. 電機(jī)驅(qū)動電路中的功率級控制。
4. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換和保護(hù)。
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模塊。
6. 太陽能逆變器和其他新能源相關(guān)應(yīng)用中的功率轉(zhuǎn)換部分。
IRFZ44N
STP40NF15
FDP150N15SBD